Тартачник В. П.
Характеристика | Значения |
---|---|
Должности, звания | доктор фіз.-мат. наук; професор; провідний науковий співробітник; провідний науковий співробітник відділу радіаційної фізики (Інститут ядерних досліджень НАН України) |
Специальности | 05.27.01; 01.04.10; 01.04.07 |
Научные советы | 76.051.09; 26.199.02; 41.053.07 |
Авторских диссертаций | 0 |
Руководимых диссертаций | 2 |
Оппонируемых диссертаций | 2 |
Диссертации, в которых участвует Тартачник В. П.:
Автор | Наименование | Год | Спец | Совет | Руководитель | Оппонент(ы) |
---|---|---|---|---|---|---|
Петренко І. В. [2] | ВПЛИВ ДЕФЕКТІВ РАДІАЦІЙНОГО ПОХОДЖЕННЯ НА ЕЛЕКТРОФІЗИЧНІ ТА ОПТИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ GAP ТА ALGAAS СВІТЛОДІОДІВ | 2016 апр | 05.27.01 | 76.051.09 | Тартачник В. П. | Когут І. Т.; Григорчак І. І. [2] |
Новосад О. В. | ЕЛЕКТРИЧНІ, ФОТОЕЛЕКТРИЧНІ ТА ОПТИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ МОНОКРИСТАЛІВ CU1-XZNXINSE2 ТА CU1-XZNXINS2 ТА БАРЄРНИХ СТРУКТУР НА ЇХ ОСНОВІ | 2016 авг | 01.04.10 | 26.199.02 | Божко В. В. [2] | Юхимчук В. О. [1]; Тартачник В. П. |
Сай П. О. | ОМІЧНІ КОНТАКТИ ДО НІТРИД ІНДІЄВИХ ЕПІТАКСІЙНИХ ПЛІВОК | 2019 июл | 01.04.07 | Шинкаренко В. В. [2] | Порошин В. М.; Тартачник В. П. | |
Малий Є. В. | ВЛАСТИВОСТІ ДЕФЕКТІВ СТРУКТУРИ У ФОСФІДІ ГАЛІЮ ТА ЇХНІЙ ВПЛИВ НА ПАРАМЕТРИ СВІТЛОДІОДІВ | 2019 июл | 01.04.07 | 41.053.07 | Тартачник В. П. | Пелещак Р. М.; Ваксман Ю. Ф. [2] |
Взаимосвязи персоны: